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霍尔效应测试系统

多通道霍尔传感器磁场米集阵外

多通道磁通传感器磁场采集阵列

多维磁场测试系统(磁场分布测试)

磁场校准系统

地磁模拟系统

非接触式霍尔效应测试系统

磁性探针台系列

磁导率仪

DX-100高低温电磁型全自动霍尔效应测试系统

发布日期:2026-02-08 10:26浏览次数:


一、产品概述
本仪器系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦,控温仪,系统软件组成。为本仪器系统专门研制的DX-320效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。DX-320可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。

二、产品特点

  1. 系统配置齐全且专业,涵盖电磁铁、高低温杜瓦、控温仪等全套组件,搭配箱式机柜,集成度高,无需额外搭配即可开展完整测试。
  2. 搭载专用 DX-320 效应仪,集成恒流源、六位半微伏表及霍尔测量切换继电器,大幅简化实验连线与操作,且 DX-320 可单独作为恒流源、微伏表使用,利用率高。
  3. 物理参数测量范围极宽,载流子浓度、迁移率、电阻率等核心参数覆盖跨度大,测量精度出色,可捕捉微弱信号,满足高精度测试需求。
  4. 适用材料种类广泛,兼容半导体、低阻抗、高阻抗、弱磁性等各类材料,可完成 P 型与 N 型材料导电类型判断,适配多领域测试场景。
  5. 磁场与温度调节灵活精准,可变电磁铁多极头间距对应不同磁场强度,高低温环境覆盖 80K~500K,控温精度高,可模拟不同工况测试。
  6. 配套完善且便捷,含中科院标准测试样片、欧姆接触配件及遮光部件,实验结果由软件自动计算,同时输出多项核心参数,兼顾专业性与易用性。
三、技术参数

物理学参数

载流子浓度

(Carrier Density)

103cm-3  1023cm-3

迁移率(Mobility)

0.1cm2/volt*sec ~108cm2/volt*sec

电阻率范围(Resistivity)

10-7 Ohm*cm~1012 Ohm*cm

霍尔电压

(Hall voltage)

1uV ~ 3V

霍尔系数

10-5  1027cm3/C

可测试材料类型

半导体材料

SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP,AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等

低阻抗材料

石墨烯、金属、透明氧化物、

弱磁性半导体材料、TMR材料等

高阻抗材料

半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等

材料导电粒子

材料的P型与N型测试

磁场环境

磁铁类型

可变电磁铁

磁场大小

1900mT(极头间距为:10mm)

1300mT(极头间距为:20mm)

900mT(极头间距为:30mm)

800mT(极头间距为:40mm)

600mT(极头间距为:50mm)

均匀区

1%

最小分辨率

0.1Gs

可选磁环境

可根据客户需求定制相关磁性大小的电磁铁,

电学参数

电流源

50.00nA-50.00mA

电流源分辨率

0.0001uA

测量电压

0~±3V

电压测量分辨率

0.0001mV

温度环境

80K ~ 500K(高低温温度调节0.1K)

控温精度

小于0.05%F.S±1个字

其他配件

遮光性

外部安装遮光部件,使得测试材料更加稳定

样品尺寸

10mm*10mm

箱式机柜

600*600*1000mm

测试样片

提供中国科学院半导体所霍尔效应

标准测试样片及数据:1套

(硅、锗、砷化镓、锑化铟)

制作欧姆接触

电烙铁、铟片、焊锡、漆包线等

 

四、图片展示

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