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霍尔效应测试系统

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磁导率仪

DX-30永磁体霍尔效应测试系统

发布日期:2026-02-08 10:27浏览次数:


一、产品概述
本仪器系统由永磁体、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高精度高斯计和系统软件组成。为本仪器系统专门研制的DX-320效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。DX-320可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度 (Sheet Carrier Concentration)、迁移率 (Mobility)、电阻率  (Resistivity)、 霍尔系数  (Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。
二、产品特点

  1. 系统集成度高,由永磁体、高精度源表、样品支架、标准样片及专用软件构成完整测试平台,开箱即可开展霍尔效应实验。
  2. 采用一体化 DX-320 霍尔效应仪,集成恒流源、六位半微伏表与测量切换模块,大幅简化接线与操作,同时可独立作为恒流源或微伏表使用。
  3. 物理参数测试范围极宽,覆盖超高、低阻材料,可精准测量载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等关键电学参数。
  4. 适用材料类型广泛,可测试常规半导体、低阻材料、高阻材料及弱磁性材料,并支持 P 型、N 型导电类型判定。
  5. 采用 NMR 级永磁体,磁场稳定可靠,精度高、一致性好,可按需求定制不同磁场强度,满足多样化测试需求。
  6. 软件自动计算并输出多项测试结果,搭配标准样片、遮光结构与欧姆接触配件,使用便捷、数据可靠,适合科研与教学使用。

三、技术参数

物理学参数

载流子浓度

(Carrier Density)

103cm-3  1023cm-3

迁移率(Mobility)

0.1cm2/volt*sec ~108cm2/volt*sec

电阻率范围(Resistivity)

10-7 Ohm*cm~1012 Ohm*cm

霍尔电压(Hall voltage)

1uV ~ 3V

霍尔系数

10-3  106cm3/C

可测试材料类型

半导体材料

SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP,AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等

低阻抗材料

石墨烯、金属、透明氧化物、

弱磁性半导体材料、TMR材料等

高阻抗材料

半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等

材料导电粒子

材料的P型与N型测试

磁场环境

磁铁类型

核磁共振NMR系列永久磁铁

磁场大小

500mT

(极头间距为:18mm)

可选磁环境

可根据客户需求定制相关磁性大小的永磁铁,

电学参数

电流源

50.00nA-50.00mA

电流源分辨率

0.0001uA

测量电压

0~±3V

电压测量分辨率

0.0001mV

温度环境

常温

其他配件

遮光性

外部安装遮光部件,使得测试材料更加稳定

样品尺寸

最大30mm*30mm

测试样片

提供中国科学院半导体所霍尔效应

标准测试样片及数据:1套

(硅、锗、砷化镓、锑化铟)

制作欧姆接触

电烙铁、铟片、焊锡、漆包线等

 

四、图片展示

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